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TSM900N06CP ROG /MOSFET 60V 11A N Channel Power Mosfet
TSM900N06CP ROG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:76 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:9.3 nC

最小工作温度:-

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

下降时间:5.3 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9.5 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:18.4 ns

典型接通延迟时间:2.9 ns

单位重量:340 mg

供应商TSM900N06CP ROG
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TSM900N06CP ROGMOSFET 60V 11A N Channel Power MosfetTaiwan SemiconductorTaiwan Semiconductor的LOGO490.10 Kbytes共8页TSM900N06CP ROG的PDF下载地址
TSM900N06CP ROGMOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252Taiwan Semiconductor CorporationTaiwan Semiconductor Corporation的LOGO502.32 Kbytes共8页TSM900N06CP ROG的PDF下载地址
TSM900N06CP ROG连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道Taiwan Semiconductor(台湾半导体)Taiwan Semiconductor(台湾半导体)的LOGO502.32 Kbytes共8页TSM900N06CP ROG的PDF下载地址
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TSM900N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationMOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252$0.50700
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TSM900N06CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V 11A N Channel Power Mosfet2,500:¥1.3899
5,000:¥1.3899
10,000:¥1.356
25,000:¥1.3108
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TSM900N06CP ROGTaiwan Semiconductor(台湾半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.1393
10+:¥0.8334
30+:¥0.7772
100+:¥0.721
500+:¥0.696
1000+:¥0.6837